テクノロジ系ハードウェア

基本情報技術者平成30年度春期問22

フラッシュメモリに関する記述として、適切なものはどれか。

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正解：エ　ブロック単位で電気的にデータの消去ができる。

解説

フラッシュメモリは電気的に書き換えられる不揮発性メモリで、ブロック単位で消去する。イは紫外線消去型のEPROM、ウはDRAMのリフレッシュ、アはSRAM。

解説：panda studio（公式の正答と照合済み）

出典：平成30年度春期基本情報技術者試験午前問22